研究了利用反应离子刻蚀技术在Ge衬底上制备宽波段抗反射亚波长结构时工艺参数对刻蚀速率及刻蚀选择比的影响。利用场发射扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。利用傅里叶变换红外光谱仪对其红外透过率进行了研究。结果表明：所制备亚波长结构整齐、规则；在8～12μm波段增透8％左右，起到良好的宽波段红外抗反射效果。