用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能.对符合弹性验则的微桥进行测试,在考虑衬底变形的基础上,利用最小二乘法对其载荷-挠度曲线进行拟合,得到低应力low pressure chemical vapour deposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为314.0 GPa±29.2 GPa, 残余应力为265.0 MPa±34.1 MPa.探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响,得到低应力氮化硅的弯曲强度为6.9 GPa±1.1 GPa.对微桥法测量误差的分析表明,衬底变形、微桥长度和厚度的测量精度对最终力学特性的拟合结果影响最大.