本文介绍采用直接检测LDMOS漏端电压来判断其是否过流的设计方法,给出了电路结构。通过电路分析,并利用BCD高压工艺,在cadence环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能,相比其它方法,在功耗、效率、工艺兼容性、成本等方面均有很大提高,可以直接应用于电源控制芯片中的安全保护设计。