建立了带输入波导结构的S波段速调管放大器输入腔开放腔模型，利用3维软件对其高频特性进行了数值计算研究，并对输入腔结构进行了优化设计。利用已加工的输入腔进行了高频参数的冷测实验研究，实验中的输入腔结构尺寸与高频分析中的完全相同，实验结果与高频分析结果一致。用3维PIC程序对电子束经过该输入腔后的束流调制以及注入微波的吸收情况进行了模拟。模拟结果表明：该输入腔与微波注入波导匹配很好，注入微波能被电子束和谐振腔全部吸收，在输入腔间隙后37cm处得到了13％的基波电流调制深度。

介绍了一种应用于强流束二极管的径向绝缘结构，并对其在纳秒脉冲条件下的沿面闪络放电现象进行了研究。使用计算机模拟静电场的方法，对锥形结构绝缘子表面的电场分布进行了研究，优化了几何结构参数。在脉宽为40ns，重复频率100Hz的脉冲功率源上对绝缘子进行了实验研究。在历时18个月及100000次脉冲实验后，发现绝缘子表面具有明显的树枝状放电现象，树枝状放电的根部碳化严重，绝缘子深度方向被完全击穿碳化，出现孔洞。基于固一液交界面闪络特性，对树枝状放电的可能原因进行了探讨。