外差干涉是实现纳米精度长度测量的重要手段。采用电子倍频、混频、高频计数的方法可处理外差信号实现亚纳米分辨率，具有电路简单、能计大数的优点，但会引入电子信号的相位畸变，引入测量的动态误差。本文通过理论和实验分析了这一误差，表明在电子倍频中锁相环引起的相位畸变仅在亚纳米量级，但在混频环节中带通滤波器引入的相位畸变则可达几纳米，引入较严重的误差。本文通过采用低频差横向塞曼激光器产生３２０ｋＨｚ的外差信号

分析了亚纳米测量外差干涉仪光源的选择和建立，由于Ｈｅ－Ｎｅ激光器在一定的横向磁场下产生横向塞曼效应，直接输出一对正交线偏振光，且其拍频频率较低，成为适于亚纳米测量的激光源。描述了一种基于８０８９单片机的稳频系统，利用模型预测控制算法对此激光器实现了长达１０ｈ的稳频控制。实验表明此横向塞曼激光器的稳频精度达３．３８×１０＾－１０，所引入的最大非线性偏差为０．２６ｎｍ，表明它可用作亚纳米测量精度外差干