基于高频逆变技术的X光机研究与设计
X射线检测技术在无损检测技术和医院诊断领域有着重要的应用,因此人们不断研究X射线产生的相关技术,比如如何减小设备的体积,提高高压直流电源的稳定性和可靠性,X射线的品质与其所需的灯丝电流及阳极电压的相互关系等。本文从高频逆变技术的角度出发,介绍了X光机主要部分的设计,以及阳极电流与阳极高压及灯丝加热之间实现控制的方法。其主要特点是合理利用高频变压器的寄生参数
密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制
中子管的工作参数是影响中子产额的重要因素。为了更准确地调控D-D中子管的中子产额,对中子管的工作参数与产额关系进行了研究,同时为了提高中子管束流品质及寿命,对中子管的二次电子抑制进行实验。采用控制参数变量的方法分别研究了D-D中子管的热子电流、阳极高压、靶极高压对中子产额的影响,以及二次电子抑制电阻阻值与靶极电流之间的关系。结果表明:中子产额随着热子电流的增加而增加,当靶极高压为-80 kV、阳极高压为2.6 kV时,热子电流的最佳调控范围为290~305 mA;阳极高压与中子产额呈非线性关系,最佳阳极高压需要高于2.6 kV;靶极高压升高,中子产额随之增加,而且高压越高产额增加越快,靶极高压最佳工作范围为-120~-100 kV;D-D中子管二次电子抑制电阻阻值为8.7 MΩ或者抑制电压为403 V时,便可以完全抑制住二次电子。中子管的工作参数与中子产额...
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