用射频等离子增强化学气相沉积方法（RF—PECVD）制备磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，研究了辉光放电气体压强（20-80Pa）对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响；利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a—Si：H薄膜微结构的影响，并与薄膜的电学性能进行了综合讨论。结果表明：随着辉光放电气体压强的增加，a-Si：H薄膜的暗电导逐步减小，但电导激活能和电阻温度系数都有不同程度的增大；同时，薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。

不饱和共聚物橡胶广泛应用于工业领域.然而,橡胶会在热、氧和光作用下氧化,从而适用范围受到限制.丁腈橡胶(NBR)是目前最重要的不饱和共聚物之一,广泛应用于密封、油田封隔器、液压胶管和汽车用橡胶制品等工业领域.由于丁二烯单元中的不饱和双键对热和氧敏感,导致NBR的耐热性降低.