提出一种提高微热压模具加热冷却速率、缩短微热压成型循环周期的方法。在硅片表面使用化学气相沉积CVD的方法制备石墨烯层，利用石墨烯层高电导率、热导率等特性，研究石墨烯层电热耦合作用对模具温度的影响规律。模拟结果表明，硅模具施加电势增加或石墨烯层厚增加，硅片表面平均温度的升高速率增大；当石墨烯层厚为40nm、施加电压为150V时，硅片表面由室温升温加热速率可以达到9．87K／s，模具温度稳定后，微结构处的温度略高于硅片表面其他位置.