针对TSV工艺中喷胶工艺因晶圆与光刻胶的膨胀系数不同而产生的应力分布不均的情况,对喷胶后光刻胶的应力分布进行了分析,并采用有限元分析软件ANSYS中的热应力分析单元对可实现同种工艺膜厚的三种不同配方喷涂的效果进行模拟分析。三组分析数据对比发现,通过对喷胶工艺的参数控制,采取最优的工艺参数,当光刻胶稀释比例为1∶12、光刻胶流量为2.2mL/min和喷嘴的移动速度为120mm/s时,取得的胶膜应力分布最为均匀。