利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅（RB-SiC）和常压烧结碳化硅（Sintered SiC,S-SiC）基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析。经过表面改性,两种基底的表面粗糙度（rms）大幅地降低,镀银后的反射率有较大地提高,基底表面光学质量已满足工程应用要求。在相同工艺条件下,S-SiC基底改性后效果好于RB-SiC基底的情况,主要是因为Si膜在两种基底表面生长情况不同所致。