在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律，得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系，分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低，在20ns的脉冲宽度辐照下，CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150ns脉冲辐照下的2倍，CMOS存储器6264的翻转阚值在20ns脉冲宽度辐照下为150ns脉冲宽度辐照下的3倍。

针对目前BNCT治疗脑胶质瘤所采用的头部模型的粗略性，用MCNP程序的Universe和Fill重复结构卡对人体头部的精细模型进行描述，分别使用热中子、超热中子和快中子对大脑在有、无载硼剂时的剂量分布进行了计算，得到了剂量率随深度分布的曲线。计算结果与有关文献的报道结果相吻合，本文所构建的人体头部精细模型是正确的。

乏燃料运输容器是运输反应堆乏燃料的专用设备。文章使用MCNP4C软件计算西屋MC-10乏燃料桶的外部剂量率，方法是基于网格的定义，得到桶周围外部整体剂量率，并与前研究工作者Georgeta Radulescu的计算结果相比，结果一致性符合较好，使用网格造成机时耗费较大，也存在一定误差，但能够比较全面，详尽地得到关于乏燃料桶外部剂量的一些数据，可以对工作人员确定乏燃料桶外部剂量有一定的参考意义。