利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响,为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考。