采用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积（ECR—PECVD）技术，以氮气为等离子体气源，5％硅烷（Ar稀释）为前驱气体，在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜。利用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜（AFM）等测试技术分析探讨了硅烷流量（5～50cm^3）、沉积温度（150～350℃）以及微波功率（500～650W）等对SiN薄膜沉积速率及表面形貌的影响。结果表明：沉积速率随着硅烷流量和微波功率的增加而增加（最高达到11．07nm／min），随着衬底温度的增加而降低，在温度为350℃时降低到2．44nm／min。薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低，粗糙度最低为0．89nm，说明薄膜的表面质量较高。

采用ZYGOMarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明：在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用X射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体结构是否会对其应力造成影响.