依据介观压阻效应原理,设计出一种以超晶格量子阱薄膜为敏感单元的高g值纳机电加速度计,期望利用超晶格量子阱薄膜的高灵敏特性,提高加速度计的灵敏度。结合GaAs基表面微机械加工工艺和控制孔技术完成了加速度计的加工。采用马歇特冲击的方法完成了加速度计的测试,并利用冲击响应谱分析了微加速度计在有外部冲击情况下的响应,研究结果表明：依据介观压阻效应原理和MEMS技术制作高g值纳机电加速度计具有可行性,从测试结果可以看出该微加速度计不但冲击响应信号与标准加速度计所测信号很接近,而且它们的响应一致性较好。

为了突破传统机电转换局限，提高加速度计灵敏度，提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度的硅微加速度计，基于这种原理设计并制备了GaAs基加速度计，通过理论分析计算与试验测试，得出该结构在0．1gn输入下的输出，并对介观压阻灵敏度和压阻灵敏度的量级作出了比较，验证了采用介观压阻效应制作高灵敏度传感器的可行性，为此类加速度计的设计提供参考．