针对微测辐射热计的非均匀性校正对衬底温度要求较高的问题,从探测器的线性模型出发,提出了一种新型非均匀性校正方法.方法首先令阵列中不同探测单元的光响应率比和衬底温度响应率比分别相等,达到补偿衬底温度变化的目的;随后再执行传统的两点非均匀性校正.用数模转换器将存储在EPROM内的偏置电压输出到MOS管的栅极上,实现对偏置电流的控制,调节探测元及补偿元的响应率.仿真结果表明,该校正方法可以在变化范围约为4K的均匀衬底温度内达到良好校正效果.

为了完善金刚石膜生长工艺，对衬底温度进行测量和控制，采用基于C8051F020单片机的热电偶多区域测量系统来收集EACVD设备的衬底温度。对测温的机械机构、电路方案及软件流程进行了详细的设计。经过验证该系统测温准确，效果良好。