采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm^2的硅漂移探测器（SDD）。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成，极大地减少了工艺步骤，降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析，对238Pua射线源的能谱进行了测量，对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。