在p-GaN上蒸发Ni／Au电极前，采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理，O2气氛下退火后，比较各电极样品的fV特性和表面形貌。结果显示无表面处理时接触电阻最小，且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性。用俄歇电子能谱（AES）测试不同元素随深度分布情况，发现高温退火过程中Ni0的形成有自动清洁p—GaN表面的作用，因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的。再将样品用10％草酸溶液处理，其FV特性显示接触电阻率明显下降；X射线光电子能谱（XpS）测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少，而Au元素信号峰增强，说明表面高阻p型Nio被有效除去，对改善接触性能具有实际意义。