运用MonteCarlo模拟方法计算了ZnS材料的高场电子输运特性。采用非抛物面多能谷模型描述ZnS材料的导带能带结构，该能带结构包含导带的两个能量子带。模拟中电子的散射机制包括声学声子散射，极性光学声子散射，能谷间散射，电离杂质散射和碰撞电离散射等。模拟高场下电子输运特性，碰撞电离是必需考虑的散射机制。模拟计算得到了ZnS材料的电子平均漂移速度、平均电子能量、电子能谷占据数随电场强度变化的关系，以及碰撞电离率随电子平均能量变化的关系。模拟结果与全带Monte Carlo模拟得到的结果吻合得较好，但非抛物线多能谷模型比全带模型计算更简单。

为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μmN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了yM和y，的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3．3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10×10^-6/℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5．2831mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。