利用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术，生长了InGaAs／AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构，通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数，对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析，确定了单量子阱结构作为1．06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系，获得了最高达到57．5％的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试，结果显示研制出的单管激光器室温下在1．5A工作电流下寿命远大于10^4h。

采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤（COD）阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入。载流子注入水平的降低,减少了腔面处非辐射复合的发生,因而提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用电流非注入技术制作的器件的最大输出功率达到3.7W;而应用常规工艺制作的器件的最大输出功率为3.1W。同常规工艺相比,采用该技术使器件的最大输出功率提高了近20%。