利用电化学扫描隧道显微镜和扫描隧道谱对ｎ型硅抛光片（１１１）表面的微缺陷和表面电子结构做了初步研究。大量Ｓｉ表面不同部位的ＳＴＭ表面形貌象表明，抛光片中粗糙度的为几个纳在面积平整区与许多不规则微缺陷区共存。轻掺Ｓｉ（１１１）表面较为平整，微结构边缘平滑，尺寸较大；重掺Ｓｉ表面微缺陷密度高，结构复杂，平整度明显降低。同时观察到大量有规律的缺陷。