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一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

作者: 樊艳 王丽侠 来源:电子设计工程 日期: 2022-07-22 人气:2
一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究
为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,提出了一种在0.25μmN阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了yM和y,的线性叠加,获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明,在3.3V电源电压下,当温度在-20~70℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数为10×10^-6/℃,输出电压的标准偏差为1mV,室温时电路的功耗为5.2831mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。
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