ICF实验会产生大量X射线和γ射线，其在光电倍增管（PMT）中产生的脉冲信号过大，导致前端电子学电路饱和，严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量。结合前端电子学系统的结构，对电路饱和的原因进行了深入分析，提出了非线性抗饱和电路改进方案，并进行了仿真和实验研究。仿真结果表明，该设计方案能够大幅衰减大信号而确保小信号的通过，信号通过后电路基线能在35ns内恢复；电路的实测结果与仿真结果基本相同。这表明：采取的方案简洁有效，能够确保输入高达数十V脉冲的情况下电路的正常工作。目前这一电路已经得到应用，并将安装在某大型激光原型的大阵列中子探测器上。