内转式进气道流场参数分布不均,为改善进气道的流场结构、提高其气动性能,采用数值仿真方法开展了唇罩内型面对内转式进气道流动特性影响的研究。研究结果表明:唇罩内型面影响唇罩激波强度、形态与内流道波系结构,进而影响唇罩激波与侧壁边界层干扰诱发的三维流向涡的产生、发展以及空间分布;在研究范围内,随着唇罩压缩角减小,唇罩激波减弱,内转式进气道流场参数周向分布更加均匀,出口总压恢复系数先增大后减小,抗反压能力不断增强,最高增大了12.7%。

以51芯片为例，讲述了模型的建立、调试与验证，以及基于模型的嵌入式C代码的自动生成及软硬件在环测试。实践表明，该基于模型的设计方法可显著提高工作效率、缩短研发周期、降低开发成本，并且增加了代码的安全性与鲁棒性，有效降低了产品软件开发的风险。

提出了一款适合在低电压、大容量SRAM中应用的高速低功耗电流型灵敏放大器。该电路在交叉耦合反相器之间添加了一对隔离管，有效消除了大量位线寄生电容所带来的负面影响，从而极大提高了灵敏放大器的速度。同时，通过对时序控制电路的优化，有效降低了放大器的功耗。采用SMIC0．13μm数字工艺在HSpice下进行仿真，结果表明：在室温，1．2V工作电压下，灵敏放大器的放大延迟仅为0．344ns，功耗为102μw。相比文献中提出的电流型灵敏放大器，速度分别提高了9．47％和31．2％，功耗则降低了64．8％与63％。