化学机械抛光(CMP)是广泛使用的硅晶片平整技术,它已成为制造0.35(m高级电路或薄于0.25mm半导体器件的主流方法。 CMP方法大致如下:将晶片置于抛光盘上旋转。若要除去晶圆表面的材料层,则在抛光盘中放入碱性的二氧化硅类浆料;若要除去金属氧化物层,则使用酸性的氧化铝类浆料。测定这些抛光浆料的粒度分布是非常重要的。大颗粒能快速打磨;小颗粒虽然抛光速度慢,但能得到更好的抛光平面。在晶圆上记录轨迹越细,对其抛光平面的要求也就越高。