本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0-8V低压逻辑输入到8-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理．并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。