运用MonteCarlo模拟方法计算了ZnS材料的高场电子输运特性。采用非抛物面多能谷模型描述ZnS材料的导带能带结构，该能带结构包含导带的两个能量子带。模拟中电子的散射机制包括声学声子散射，极性光学声子散射，能谷间散射，电离杂质散射和碰撞电离散射等。模拟高场下电子输运特性，碰撞电离是必需考虑的散射机制。模拟计算得到了ZnS材料的电子平均漂移速度、平均电子能量、电子能谷占据数随电场强度变化的关系，以及碰撞电离率随电子平均能量变化的关系。模拟结果与全带Monte Carlo模拟得到的结果吻合得较好，但非抛物线多能谷模型比全带模型计算更简单。