提高功率密度和性能，同时降低成本，从来都是功率半导体技术的前进方向。本文指出，在可预见的未来，这个趋势还将继续下去，并且新型半导体材料的发展甚至会加剧这一趋势。传统的硅材料与诸如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料的一个共同发展趋势是提高电流密度，并且需要逐步实现高达200℃的更高工作温度。主要受要求高得多的负载和温度循环能力的限制，如今的封装技术尚不能处理高于200℃的温度。另一个共同发展趋势是，各种新老材料的半导体都致力于加快开关速度，以降低器件内部损耗，从而提高电流承受能力。本文还表明，朝着这个方向发展，降低开关损耗的潜力巨大（约7倍），并且阐述了在低电感连接技术方面，封装和系统设置面临的挑战。