采用真空热蒸发法在ITO阳极与空穴传输层TPD之间插入VOx空穴注入层，使典型结构（ITO／TPD／Alq3／LiF／Al）的有机发光二极管（OLED）的发光性能明显改善。当插入VOx空穴注入层后，器件的启亮电压比没有插入VOx时的器件下降了2V。当插入20nm的VOx空穴注入层后，器件的驱动电压在亮度为100cd／m^2或1000cd／m^2时均下降了3．5V；器件的最大亮度从5808cd／m^2（14．5V）上升至9234cd／m^2（11．5V）；器件的最大功率效率从0．88lm／W增加到2．63lm／W。此外，对Vq厚度分别为10，20和30nm的三组器件进行了对比，结果显示器件性能基本一致。