在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中，靶材非常关键，它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析，提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法，有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器，其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。

金属膜电阻器用的靶材是影响膜质量和电阻器性能的重要因素之一，晶粒细化是炼制致密性靶材的关键。晶粒细化不仅有利于Cr-Si靶材内部组织均匀化，且能降低其韧脆转变温度，从而使炼制的靶材强度和硬度高、塑性好，提高靶材的成品率。分析了晶粒细化提高靶材综合性能的原因，并介绍了研究中所采用的Ti细化剂、磁力搅拌等晶粒细化措施。实验表明，在RJ24生产线上溅射的1MΩ金属膜电阻器具有较好的性能，且电阻温度系数均小于20×10^-6／℃。