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> SOI芯片
耐高温微型压力传感器设计
作者:
范元斌
赵玉龙
赵立波
来源:
测井技术
日期: 2023-10-25
人气:22
在A03号耐高温压力传感器结构设计上采用梁膜结合压力传递结构,使被测高温流体不能直接作用在SOI芯片固态压阻力敏感元件上,从而避免了被测流体的瞬时高温冲击(2 000℃).给出了传感器结构设计理论和设计结果及SOI芯片固态压阻力敏感元件的制作方法.对设计制作的耐高温微型压力传感器进行了高温实验.测试结果表明,这种新型结构的耐高温微型压力传感器具有较好的静态特性.
关键词:
压力传感器
SOI芯片
梁膜结构
耐高温
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