以核壳聚合物乳液作为毛面剂，研究了该聚合物的合成方法。实验证明该方法克服了现用毛面剂合成中的缺点，通过对核壳乳液与相同组成的共聚物作为毛面剂的防粘连性能的对比实验，结果显示，核壳聚合物具有优良的防粘连性能。

采用双埋层SOI（Silicon-On-Insulator）材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46μm。分析了双埋层SOI材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩模湿法腐蚀技术,在玻璃封盖底部设计制作了大小为200μm×200μm的防粘连凸台,解决了芯片在清洗干燥过程中的粘连问题。采用ICP刻蚀用硅衬片方法,解决了ICP刻蚀工艺中高温导致的金硅共晶合金问题。实验验证显示,提出的方法效果较好,芯片成品率得到较大提高,为大批量地研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。