采用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积（ECR—PECVD）技术，以氮气为等离子体气源，5％硅烷（Ar稀释）为前驱气体，在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜。利用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜（AFM）等测试技术分析探讨了硅烷流量（5～50cm^3）、沉积温度（150～350℃）以及微波功率（500～650W）等对SiN薄膜沉积速率及表面形貌的影响。结果表明：沉积速率随着硅烷流量和微波功率的增加而增加（最高达到11．07nm／min），随着衬底温度的增加而降低，在温度为350℃时降低到2．44nm／min。薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低，粗糙度最低为0．89nm，说明薄膜的表面质量较高。

在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法。应用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系统,采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生长氮化硅薄膜的基本物化性质以及在沉积过程中反应压强、反应温度、硅烷氨气流量比和微波功率对薄膜性质的影响。通过大量实验,分析了氮化硅薄膜的相对最佳沉积参数,并得出制作减反射膜的优化工艺。