采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2／ZnO复合薄膜，用XRD、SEM和UV—Vis分别表征TiO2／ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au／TiO2／ZnO／Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器，研究其光电特性。实验结果表明，TiO2／ZnO紫外探测器在5V偏压360nm紫外光照下光电流约为500μA，其响应度为100A／W，平均暗电流约为0．5μA；由于TiO^2／ZnO复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用，减少了产生的光生电子与空穴的复合，得到较强的光电流，且其光响应的上升弛豫时间约为22s，下降响应时间约为80S；响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明TiO^2／ZnO可作为一种良好的紫外探测材料。