提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极，用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔，TMAH腐蚀实现质量块的释放，在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前，反镕丝保持断开状态，腐蚀完成后，击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25％TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5：1。成功制作成电容式加速度计结构，释放前后梁宽度均在9．4—10μm范围内，表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25kΩ之间。