采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm^2的硅漂移探测器（SDD）。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成，极大地减少了工艺步骤，降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析，对238Pua射线源的能谱进行了测量，对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。

在SPAD等效电路的基础上建立了简单实用的SPICE电路模型，并对SPAD四种基本的工作电路结构（被动淬灭、主动淬灭、门控模式和电容淬灭）进行了细致的仿真分析。仿真结果清晰的反映了四种电路各自的特性和优缺点，以及SPAD器件寄生参数对于电路性能的影响，得到了与实验基本一致结果。该电路模型可以直接应用于后续信号读出电路及前置放大电路系统的仿真设计，调节电路参数，优化电路性能，从而节省后续电路设计与制作的时间。