为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时，应该以什么参数作为评判依据的问题，对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究。通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化，分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理。通过分析，指出了当前屏蔽材料封装存在的不足，以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流。

介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。