提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构，并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析，特别是基准电路和偏置电路，利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice中仿真了采用0．6μm的n阱互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0V电池充电禁止等功能，可用于单节锂离子电池充电的一级保护。