制备了纳米VO2多晶薄膜材料，其相变温度为35℃，实验测量了它的电阻-温度（RT）曲线和热滞回线，并用随机阻抗网络模型进行了R-T曲线和热滞回线模拟，两者显示出结果一致，表明在低温相变温度35℃下，随机阻抗网络模型适用于纳米VO2多晶薄膜R-T曲线和热滞回线。此外，给出了VO2多晶材料在半导体区和金属区的简化随机阻抗网络模型的电阻公式。