以PS（聚苯乙烯）和PC61BM（[6.6]-苯基-C61-丁酸甲酯）为活性材料，通过加入导电性不同的缓冲层材料，优化了阻变存储器件的开关比。制备时分别以金纳米粒子（Au-NPs）、聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT∶PSS）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）材料作为器件的缓冲层，得到了开关比可调、存储机制不同的电双稳态器件。测试结果发现缓冲层材料导电性是影响器件开关比的关键因素，当缓冲层材料从绝缘性材料PVP换为导电性良好的金纳米粒子，其开关比从102逐渐增大到105。另外对于不同结构的存储机制，通过电流电压拟合曲线和能带原理图分析，发现缓冲层材料的导电性质及能级匹配是影响器件存储机制的重要因素。