在千焦拍瓦高功率放大系统设计中，激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中，需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜，分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差，确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明：刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35nm；刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62nm。此外，还从使用需要和加工难易的角度，对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言，优选反应离子束刻蚀方案，且采用刻蚀并残留