建立了带输入波导结构的S波段速调管放大器输入腔开放腔模型，利用3维软件对其高频特性进行了数值计算研究，并对输入腔结构进行了优化设计。利用已加工的输入腔进行了高频参数的冷测实验研究，实验中的输入腔结构尺寸与高频分析中的完全相同，实验结果与高频分析结果一致。用3维PIC程序对电子束经过该输入腔后的束流调制以及注入微波的吸收情况进行了模拟。模拟结果表明：该输入腔与微波注入波导匹配很好，注入微波能被电子束和谐振腔全部吸收，在输入腔间隙后37cm处得到了13％的基波电流调制深度。

基于高频信号相位测量原理．提出了S波段相对论速凋管放大器相位测量的方法。对S波段800kW速调管放大器进行了验证实验．并测试了S波段相对论速凋管放大器的相位。实验结果表明：速调管输入和输出微波相位差随束压升高而减小．随束流升高而增大，微波相位差不随注入微波功率大小和磁场变化而变化。