采用在A1N缓冲层后原位沉积SiN掩膜层，然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1．7μm无裂纹的GaN薄膜，并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管（LED）外延片，其外延片的总厚度约为1．9μm。采用高分辨率双晶X-射线衍射（DCXRD）、原子力显微镜（AFM）测试分析。结果表明，GaN薄膜（0002）面的半峰全宽（FWHM）降低到403arcsee，其表面平整度得到了很大的改善；InGaN／GaN多量子阱的界面较平整，结晶质量良好。光致发光谱表明，GaN基LED峰值波长为469．2nm。

总结了MOCVD生长GaN薄膜过程中气相化学反应机理的研究进展。首先分别从反应器结构和自由基对气相反应机理的影响进行总结与分析，得到不同影响条件下的反应路径趋势i然后介绍了量子化学计算在GaNMOCVD气相化学反应机理研究中的应用与发展。